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PERT太阳能电池| 所有你需要知道的

PERT太阳能电池| 所有你需要知道的

 

PERT 太阳能电池在可用于单面和双面太阳能电池设计的超高效太阳能技术中享有很高的评价。 

尽管 PERT 太阳能电池的制造成本比传统的硅电池高一些,并且主要用于太阳能汽车或太空应用等利基行业,但所有太阳能电池制造商都在努力制造和销售它们,以提供高端产品为消费者提供定性解决方案。 双面太阳能电池越来越受欢迎。 如果很好地放置在开放区域或平坦表面,它们可能会吸收光并能够从两个表面产生电能——最终提供比传统电池高 30% 的产量。

 

PERT太阳能电池:它们是如何工作的? 

PERT 代表 钝化发射器后部完全扩散 细胞。 它们具有扩散的后表面,与使用铝合金 BSF 的传统对应物相比,这是一个巨大的转变。 简单地说,p型晶圆的发射极是通过磷扩散产生的,而BSF是通过p-PERT中的硼掺杂来实现的。 

PERT 细胞对光诱导的闭塞免疫,并且可以适应双面细胞形状。 这些最近激起了太阳能光伏行业和研究型大学的兴趣。 光伏科学家正在尝试替代电池架构来提高工业上可用的硅太阳能电池的功效——尤其是现在高度相关的 PERC 结构似乎已经达到了其可行的功率转换效率阈值的平台期。

 

PERT太阳能电池功效

 1.5℃温度下AM25光谱正常参数下,高效钝化发射极; 钝化发射器后部完全扩散 电池的能量转换效率约为 25%。 对于基于非 FZ 硅衬底的硅电池,这是有史以来最有希望的能量转换效率数据。 PERT电池的电池结构中硼的温和扩散不仅降低了电池的串联电阻,而且提高了其开路电压。 

 

P型PERC V/S N型PERT 

PERC 代表钝化发射极后接触结构,具有局部背面场,这是 p 型 PERC 和 n 型 PERT (BSF) 之间的主要区别。 BSF 在金属共烧操作期间通过将 Al 掺杂到 Si 中而产生。 通过与 p 型硅基晶片建立高低结合,BSF 有助于提高太阳能电池效率。 少数流道被此链接排斥,从而防止它们在硅晶片的背面重新连接。 

相反,PERT 结构的背面“完全扩散”了硼(p 型)或磷(n 型)。 PERT太阳能电池技术最常用于n型硅电池。 这得益于对金属污染的优异耐受性、低温度系数以及与 p 型硅晶片相比,n 型硅晶片的光致衰减减少。 由于 n 型晶片的大部分负载有磷,因此 n 型硅中的光致击穿最小化,这可能是由于较低的硼-氧配对。 

尽管如此,“完全扩散”的 BSF 需要采用创新方法,如高温 POCL 和 BBr3 扩散。 因此,制造PERT太阳能电池比PERC更昂贵。 

然而,  钝化发射器后部完全扩散 与 PERC 受限的、更粗糙的铝基 BSF 相比,电池的全面积 BSF 可以提供更有效的高低结钝化效果。 隧道氧化物钝化接触(TOPCON)结构也可以与n型PERT集成。 它能够更加方便设备的输出。 

 

由于硅衬底羽化具有延长的少数寿命和没有与 BO 复合物相关的降解,N 型硅太阳能电池在普及图表上稳步上升。 由于加工简单,双面钝化发射器和 PERT n 型太阳能电池是可以很容易工业化的高效解决方案。 P+发射器的产生是值得注意的PERT技术之一。 多年来,BBr3 扩散已被建立用于大规模制造,但 n 型太阳能电池的产业化受到掺杂剂均匀性和工艺集成的阻碍。 研究并记录了 n-PERT 太阳能电池中硼墨水旋涂和 POCl3 扩散的组合 研究论文。 调查结果显示,双面性超过 90% 的太阳能电池的效率超过 20.2%。

 

n型双面PERT太阳能电池可以使用包括用于单面掺杂的离子注入的工艺流程来生产。 它导致出色的发射结质量和一致性。

 

PERT太阳能电池有几个优点,其中大部分如下:

 

      与 PERC 太阳能电池不同,PERT 版本通过对多种材料(即硼 BSF PERT 多层天花板)进行钝化获得高效率,没有光致退化 (LID)。

      拥有成本与 PERC 电池相同。

      PERT 系列也可用于单面或双面电池,赋予它很多多功能性。

 

PERT太阳能电池制造 

PERT 太阳能电池采用多种创新方法和组合制造,以优化独特的电池种类。 十多年来,常压化学气相沉积 (APCVD) 系统等新型智能技术一直致力于制造,以使产品具有较高的可接受性。 此外,使用水平管式炉,磷发射体和硼 BSF 在单个热循环中产生,从而缩短了循环持续时间。 因为 钝化发射器后部完全扩散 电池也可用于传统的背板模块,重新配置生产线以从单面制造到双面制造只需几个小时。

 

 

 


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